προϊόντα

κατασκευαστών

Σχετικά με εμάς

Επικεφαλής

Συνεργαστείτε μαζί μας

greek

Σπίτι > προϊόντα > Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών >

DMN31D5UFZ-7B

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

DMN31D5UFZ-7B

κατασκευαστής:

Διακόσμιοι ενσωματωμένοι

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN

Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:

Χ2-DFN0606-3

Κατεβάστε

Γρήγορη RFQ

Σε αποθέματα:

Παρακαλώ στείλτε RFQ, θα απαντήσουμε αμέσως. (*είναι υποχρεωτική)

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Mfr.Part #:

DMN31D5UFZ-7B

Αποθέματα:

94234

Κατηγορία προϊόντων:

Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία

ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:

220mA (TA)

Τεχνική μέθοδος:

30 V

Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019:

1.2V, 4.5V

Τύπος FET:

N-Κανάλι

Τεχνική διάταξη:

00,35 nC @ 4,5 V

Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:

22.2 pF @ 15 V

Τύπος στερέωσης:

Επεξεργασία επιφανείας

Θερμοκρασία λειτουργίας:

-55 °C ~ 150 °C (TJ)

Πακέτο / Κουτί:

3-XFDFN

Διασκεδασμός δύναμης (Max):

393mW (Ta)

Κατάσταση του προϊόντος:

Ενεργός

Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs:

1.5 Ωμ @ 100mA, 4,5V

Τεχνολογία:

MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)

Vgs (μέγιστο):

±12V

Vgs(th) (Max) @ Id:

1V @ 250µA

Περιγραφή του προϊόντος

DMN31D5UFZ-7B ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R078M2H

IMZC120R078M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 78 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο creepage βασίζεται στα πλεονεκτήματα της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένο κόστος,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD). - Ηλεκτρικά οχήματα.Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R053M2H

IMZC120R053M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 53 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο συρρίκνωσης βασίζεται στα δυνατά σημεία της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R040M2H

IMZC120R040M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 40 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο creepage βασίζεται στα πλεονεκτήματα της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R034M2H

IMZC120R034M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 34 mΩ G2 σε ένα TO-247 4pin με υψηλό πακέτο συρρίκνωσης βασίζεται στα δυνατά σημεία της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R026M2H

IMZC120R026M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 26 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο συρρίκνωσης βασίζεται στα δυνατά σημεία της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

Το IMZC120R022M2H

IMZC120R022M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 22 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο συρρίκνωσης βασίζεται στα δυνατά σημεία της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R017M2H

IMZC120R017M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 17 mΩ G2 σε ένα TO-247 4pin με υψηλό πακέτο creepage βασίζεται στα πλεονεκτήματα της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένο κόστος,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).- Διαδικτυακές αδιάλειπτες πηγές ρεύματος (UPS).- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης....

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R012M2H

IMZC120R012M2H-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές - Συσκευές γενικής χρήσης (GPD). - Η φόρτιση ηλεκτρικού οχήματος (EV). - Διαδικτυακές αδιάλειπτες πηγές ρεύματος (UPS). - Οπτικοποιητές ηλιακής ενέργειας. - Μετατροπείς χορδών. - Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS). - Εξοπλισμός συγκόλλησης. Το IMZC120R012M2H είναι ένα 1200 V, 12 mΩ N-κανάλι MOSFET καρβιδίου πυριτίου (SiC) από την Infineon Technologies, σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής απόδοσης και υψηλής πυκνότητας ισχύος.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

Το IMZC120R012M2HXKSA1

Το IMZC120R012M2HXKSA1-Επισκόπηση Τυπικές εφαρμογές - Πολύ χαμηλές απώλειες. - Δραστηριότητα υπερφόρτωσης έως Tvj= 200 °C. - Σύντομο κύκλωμα 2 μs. - Σκληρή διόδη για σκληρή μετατόπιση. - Τεχνολογία διασύνδεσης XT για βελτιωμένη θερμική απόδοση. Το IMZC120R012M2H είναι ένα 1200 V, 12 mΩ N-κανάλι MOSFET καρβιδίου πυριτίου (SiC) από την Infineon Technologies, σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής απόδοσης και υψηλής πυκνότητας ισχύος.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

ΑΙΜCQ120R160M1T

AIMCQ120R160M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

ΑΙΜCQ120R120M1T

AIMCQ120R120M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

Αεροπορικά αεροσκάφη

AIMCQ120R080M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

ΑΙΜCQ120R060M1T

AIMCQ120R060M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

ΑΙΜΚQ120R040M1T

AIMCQ120R040M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

Αεροπορικά οχήματα

AIMCQ120R030M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

Αεροπορικά οχήματα

ΑΙΜΚQ120R020M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

ΑΙΜCQ120R020M1TXTMA1

ΑΙΜCQ120R020M1TXTMA1-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

CMPDM7002AG TR PBFREE

CMPDM7002AG TR PBFREEΕπισκόπηση

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

DMP2123LQ-7

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

DMP2035UVT-7

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

Dmn61d8l-7

Μάθετε Περισσότερα