προϊόντα

κατασκευαστών

Σχετικά με εμάς

Επικεφαλής

Συνεργαστείτε μαζί μας

greek

Σπίτι > προϊόντα > Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών >

MRFX1K80HR5

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

MRFX1K80HR5

κατασκευαστής:

NXP Ημιαγωγούς

Περιγραφή:

Ραδιοφωνικό MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S

Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:

NI-1230-4H

Κατεβάστε

Γρήγορη RFQ

Σε αποθέματα:

Παρακαλώ στείλτε RFQ, θα απαντήσουμε αμέσως. (*είναι υποχρεωτική)

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Mfr.Part #:

MRFX1K80HR5

Αποθέματα:

166

Κατηγορία προϊόντων:

Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF

Τρέχων - δοκιμή:

200 mA

Διορισμός ρεύματος (άμπερες):

10µA

Συχνότητα:

1.8MHz ~ 470MHz

Κέρδος:

24dB

Πακέτο / Κουτί:

SOT-979A

Δύναμη - Απόδοση:

1800w

Κατάσταση του προϊόντος:

Ενεργός

Τύπος τρανζίστορα:

LDMOS (διπλή)

Τεχνική διάταξη:

182 V

Τάση - δοκιμή:

65 Β

Περιγραφή του προϊόντος

MRFX1K80HR5 ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R078M2H

IMZC120R078M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 78 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο creepage βασίζεται στα πλεονεκτήματα της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένο κόστος,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD). - Ηλεκτρικά οχήματα.Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R053M2H

IMZC120R053M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 53 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο συρρίκνωσης βασίζεται στα δυνατά σημεία της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R040M2H

IMZC120R040M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 40 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο creepage βασίζεται στα πλεονεκτήματα της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R034M2H

IMZC120R034M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 34 mΩ G2 σε ένα TO-247 4pin με υψηλό πακέτο συρρίκνωσης βασίζεται στα δυνατά σημεία της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R026M2H

IMZC120R026M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 26 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο συρρίκνωσης βασίζεται στα δυνατά σημεία της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

Το IMZC120R022M2H

IMZC120R022M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 22 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο συρρίκνωσης βασίζεται στα δυνατά σημεία της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R017M2H

IMZC120R017M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 17 mΩ G2 σε ένα TO-247 4pin με υψηλό πακέτο creepage βασίζεται στα πλεονεκτήματα της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένο κόστος,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).- Διαδικτυακές αδιάλειπτες πηγές ρεύματος (UPS).- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης....

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

IMZC120R012M2H

IMZC120R012M2H-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές - Συσκευές γενικής χρήσης (GPD). - Η φόρτιση ηλεκτρικού οχήματος (EV). - Διαδικτυακές αδιάλειπτες πηγές ρεύματος (UPS). - Οπτικοποιητές ηλιακής ενέργειας. - Μετατροπείς χορδών. - Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS). - Εξοπλισμός συγκόλλησης. Το IMZC120R012M2H είναι ένα 1200 V, 12 mΩ N-κανάλι MOSFET καρβιδίου πυριτίου (SiC) από την Infineon Technologies, σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής απόδοσης και υψηλής πυκνότητας ισχύος.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

Το IMZC120R012M2HXKSA1

Το IMZC120R012M2HXKSA1-Επισκόπηση Τυπικές εφαρμογές - Πολύ χαμηλές απώλειες. - Δραστηριότητα υπερφόρτωσης έως Tvj= 200 °C. - Σύντομο κύκλωμα 2 μs. - Σκληρή διόδη για σκληρή μετατόπιση. - Τεχνολογία διασύνδεσης XT για βελτιωμένη θερμική απόδοση. Το IMZC120R012M2H είναι ένα 1200 V, 12 mΩ N-κανάλι MOSFET καρβιδίου πυριτίου (SiC) από την Infineon Technologies, σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής απόδοσης και υψηλής πυκνότητας ισχύος.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

ΑΙΜCQ120R160M1T

AIMCQ120R160M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

ΑΙΜCQ120R120M1T

AIMCQ120R120M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

Αεροπορικά αεροσκάφη

AIMCQ120R080M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

ΑΙΜCQ120R060M1T

AIMCQ120R060M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

ΑΙΜΚQ120R040M1T

AIMCQ120R040M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

Αεροπορικά οχήματα

AIMCQ120R030M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

Αεροπορικά οχήματα

ΑΙΜΚQ120R020M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

ΑΙΜCQ120R020M1TXTMA1

ΑΙΜCQ120R020M1TXTMA1-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

CMPDM7002AG TR PBFREE

CMPDM7002AG TR PBFREEΕπισκόπηση

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

DMP2123LQ-7

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

DMP2035UVT-7

Μάθετε Περισσότερα

ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο

Dmn61d8l-7

Μάθετε Περισσότερα